Spin on hardmask (SOH) (SOC)

반도체선 폭이 미세화됨에 따라, 특히 70 nm 이하의 패턴을 구현함에 있어,
기존처럼 두꺼운 두께(>300 nm)의 photoresist(PR)를 사용하게 되면, 높이/바닥비율(aspect ratio)이 높아져서,
pattern이 붕괴되게 된다.

이러한 문제를 해결하기 위해, 반도체공정에서 PR의 패턴을 전사(transfer)해줄 수 있는
hardmask라는 재료를 사용하고 있으며, 종래 CVD를 이용한 Carbon hard mask는
패턴 미세화에 따른 void issue로 인해 Spin 코팅이 가능한 Carbon polymer (SOH)로 대체되고 있다.

 

-> 포토 레지스트 하부에 적용되는 막질로서 후속 에칭공정에서적절한 방어막 역할을 수행하며, 미세 패턴의 정확도를 구현하기위하여 회로가 원하는 막질에 잘 전사되도록 돕는 재료

 

stack 개요도

 

SOC 요구 수준

대표 고분자 카본 함량

참고 : Polymer Science and Technology Vol. 20, No. 5, October 2009